TK9P65W,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續漏極電流（ID），導通電阻為460mΩ，有助于降低功率損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定柵極驅動控制。采用碳化硅技術，具備優異的高頻開關特性與高溫工作能力，適用于高能效電源轉換系統，如大功率開關電源、高密度DC-DC變換器及可再生能源發電中的逆變電路，有助于提升系統整體效率并改善熱管理性能。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢

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