MSJU11N65A-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源耐壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至260mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了可靠的開關控制與驅動兼容性。采用寬禁帶半導體材料碳化硅，具備優異的高溫工作性能與開關特性，適用于高功率密度、高頻開關電源系統，如高效能交直流轉換模塊、可再生能源發電設備中的功率調節單元以及高要求的電力變換裝置。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MSJU11N65A-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢