NVH4L060N065SC1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:52A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備高電流承載能力，連續漏極電流ID可達52A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，確保在高壓環境下穩定工作。導通電阻RDON低至40mΩ，有效降低導通損耗，提高系統效率。碳化硅材料的使用賦予器件優異的熱穩定性和高頻工作能力，適用于電源轉換、高效能電機控制及精密電力電子裝置，為復雜電路設計提供可靠的技術支持。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NVH4L060N065SC1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:52A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:52A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢