AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:69A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:59mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有出色的電性能和可靠性。其連續漏極電流ID可達69A，漏源擊穿電壓VDSS高達1200V，適用于高電壓應用場景。導通電阻RDON為59mΩ，有助于降低導通損耗，提升整體效率。碳化硅材料的引入顯著提升了器件的熱穩定性和高頻響應能力，使其適用于高功率密度電源轉換、高效電機控制及精密電子設備中的復雜電路設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:69A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:59mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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