FG3S06506C_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該碳化硅二極管采用獨立式結構，額定正向電流為6A，反向重復峰值電壓達650V，適用于中高電壓電力轉換應用。其正向導通壓降為1.36V，有效降低導通損耗，提升系統能效。得益于碳化硅材料的高熱導率和高擊穿電場特性，該器件具備快速恢復能力與良好的高溫工作穩定性，支持高頻開關操作。典型應用場景包括高效AC-DC與DC-DC電源模塊、可再生能源發電中的逆變電路、高功率密度適配器及不間斷電源系統，適合對轉換效率和熱管理性能要求較高的電力電子設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FG3S06506C_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢