IPA60R280P7SXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源電壓（VDSS）與20A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至160mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極控制。基于碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件適用于高頻、高效率的功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用包括大功率開關(guān)電源、可再生能源發(fā)電中的直流變換裝置、儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊以及高密度電源適配與能量管理設(shè)備。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IPA60R280P7SXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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