STF16N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）低至260mΩ，可有效減少導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保柵極驅動的穩定性與安全性。依托碳化硅材料的高臨界電場和熱導率優勢，該器件支持高頻開關操作，具備出色的熱穩定性和耐壓能力，適用于高功率密度電源轉換裝置，如高效開關電源、高壓直流變換器及可再生能源發電系統的逆變單元。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STF16N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢