HXY20N50F_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場效應管具備500V漏源擊穿電壓（VDSS）和30V柵源電壓容限（VGS），連續(xù)漏極電流（ID）可達20A，導通電阻（RDON）為260mΩ。器件適用于高電壓開關應用，如開關模式電源、逆變器電路、高壓直流負載的功率控制以及電能轉(zhuǎn)換裝置。較高的電壓耐受能力使其適合用于主電源側(cè)的開關設計，支持高效能電能管理。其參數(shù)特性可滿足對電壓安全裕量和穩(wěn)定導通性能有要求的電子設備，適用于需要高耐壓與適度電流承載能力的功率開關場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY20N50F_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢