STD11N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至460mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計。柵源電壓范圍為-4V至!8V，具備良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性?；谔蓟璨牧系奶匦?，器件在高頻、高壓工作環(huán)境下仍能保持較低的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗，適合用于電源適配器、光伏逆變系統(tǒng)及高效能直流變換模塊等應(yīng)用場合，可提升整體系統(tǒng)能效并減小散熱設(shè)計負(fù)擔(dān)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD11N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價：歡迎咨詢

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