HCS65R320S-FM-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓（VDSS）和15A連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為260mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持穩定驅動與過壓保護。采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關性能和高溫工作能力。適用于高效率電源轉換系統，如大功率開關電源、光伏逆變單元、儲能系統中的DC-DC變換器以及高性能電機驅動電路，有助于提升系統能效與功率密度，滿足緊湊型高功率應用需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HCS65R320S-FM-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢