IV1D06004F5_DFN8X8_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：碳化硅二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:4A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.4V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管為獨立式器件，具備4A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），正向壓降（VF）典型值為1.4V。采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高頻開關(guān)特性與高溫穩(wěn)定性，反向恢復(fù)電荷極低，可顯著降低開關(guān)損耗。適用于高效率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、不間斷電源模塊、可再生能源逆變裝置以及高密度直流-交流轉(zhuǎn)換電路。其低導(dǎo)通損耗與快速恢復(fù)能力有助于提升系統(tǒng)能效，優(yōu)化熱管理設(shè)計，滿足對可靠性和功率密度要求較高的應(yīng)用場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IV1D06004F5_DFN8X8_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：IF:4A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.4V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：碳化硅二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:4A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.4V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式標(biāo)價：歡迎咨詢