STD16N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，可有效減少導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料的特性，器件具備優異的高溫工作能力與高頻開關性能，反向恢復損耗顯著降低。適用于高效率直流-直流轉換器、不間斷電源系統、光伏逆變單元及高功率密度電源模塊，能夠在高電壓、高頻率工作條件下提升整體能效，滿足先進電力電子系統的嚴苛設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD16N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢