P3D12010G2_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.39V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管為獨立式結(jié)構(gòu)，額定正向電流（IF）為10A，反向重復(fù)峰值電壓（VR）達(dá)1200V，正向壓降（VF）為1.39V。得益于碳化硅材料的高熱導(dǎo)率和寬禁帶特性，器件具備優(yōu)異的高溫工作能力、極低的反向漏電流及快速開關(guān)特性。適用于高電壓、高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如高壓電源模塊、可再生能源逆變裝置、服務(wù)器級電源供應(yīng)器以及高密度DC-AC轉(zhuǎn)換電路。其低導(dǎo)通損耗與快速恢復(fù)性能有助于減少系統(tǒng)熱耗散，提升整體能效和運(yùn)行穩(wěn)定性，適合對功率密度和可靠性要求較高的應(yīng)用場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

P3D12010G2_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.39V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.39V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式標(biāo)價：歡迎咨詢