IV1Q12160T4_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:19A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品是一款1200V碳化硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備19A的額定漏極電流能力和160mΩ的導(dǎo)通電阻。基于碳化硅材料的特性，該器件具有良好的耐高溫性能和快速開關(guān)響應(yīng)能力，適用于高效率、高頻率的電力電子系統(tǒng)?？蓱?yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、智能電網(wǎng)、通信設(shè)備等領(lǐng)域的功率因數(shù)校正、DC-DC變換及逆變系統(tǒng)，支持復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)行。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

IV1Q12160T4_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:19A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:19A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢