SP52N120CTF_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），采用先進(jìn)碳化硅材料工藝，具備高耐壓與低導(dǎo)通電阻特性。最大連續(xù)漏極電流（ID）為63A，典型導(dǎo)通電阻（RDON）低至32mΩ，有助于提升系統(tǒng)效率并降低功率損耗。適用于高頻率、高效率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如光伏逆變器、儲能系統(tǒng)及智能電網(wǎng)設(shè)備中，提供穩(wěn)定可靠的電力控制與轉(zhuǎn)換性能。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，具備良好的熱穩(wěn)定性和抗過載能力，滿足高性能電力電子應(yīng)用需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SP52N120CTF_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢