UF3SC120016K3S_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:120A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:16mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用高性能碳化硅半導體材料，具備出色的導熱性與耐高壓能力。其最大漏極電流ID可達120A，導通電阻RD(ON)低至16mΩ，有效降低導通損耗，提升系統整體效率。適用于高功率密度電源轉換、可再生能源逆變系統及高頻開關電路設計，滿足對效率、可靠性和熱管理要求較高的電子應用需求，為先進電力電子系統提供高效、穩定的器件支持。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

<nobr id="8b5fe"></nobr>

UF3SC120016K3S_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:16mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:120A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:16mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢