IV1Q12030T4G_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:63A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品是一款1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有較高的電流承載能力和較低的導通損耗。其最大漏極電流ID為63A，導通電阻RDON僅為32mΩ，可在高電壓環境下實現高效、穩定的功率傳輸。碳化硅材料賦予器件優異的熱導率和高頻工作性能，適合應用于高功率密度電源系統、可再生能源變換裝置及精密電力調節設備中。器件采用標準封裝形式，便于在多種高性能電子系統中集成使用，滿足對效率與可靠性有高要求的場景需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IV1Q12030T4G_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:63A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢