SG2M040120JH_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：ID:87.5A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:39mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），具有出色的導(dǎo)通和開關(guān)特性。器件最大漏極電流ID可達(dá)87.5A，導(dǎo)通電阻RD(ON)低至39mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。碳化硅材料賦予器件優(yōu)異的耐高壓與高溫性能，適合高功率密度和高頻開關(guān)應(yīng)用。該MOSFET可廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、儲能系統(tǒng)、智能電力調(diào)控及相關(guān)高效能電子設(shè)備中，滿足對性能與可靠性要求較高的場景需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SG2M040120JH_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:87.5A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:39mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：ID:87.5A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:39mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢