KN3M80120K_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品是一款1200V碳化硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有32A的額定漏極電流能力，導(dǎo)通電阻為75mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。碳化硅材料賦予器件優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和快速開關(guān)特性，有助于降低系統(tǒng)損耗。該MOSFET適用于高功率電源設(shè)備、新能源發(fā)電系統(tǒng)、智能電力控制以及高頻電源變換器等場(chǎng)景，為復(fù)雜電源管理需求提供高性能的實(shí)現(xiàn)方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

KN3M80120K_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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