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              RSM120080Z_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-247-4L
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：30/管裝
                                                        參數1：ID:32A
                                                        參數2：VDSS:1200V
                                                        參數3：RDON:75mR
                                                        參數4：TYPE:N-ch
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID為32A，導通電阻RD(ON)低至75mΩ，可有效降低導通損耗，提升系統效率。采用碳化硅材料，具備高耐壓、高熱導率和低開關損耗等特性，適用于高功率密度和高頻開關場景。該器件廣泛應用于高效電源轉換系統、可再生能源系統、智能電網及高精度電機控制等電力電子領域，滿足復雜工況下的穩定運行需求。
                              
              
            
              
            
              
                
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