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              IV1Q06040T4_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247-4L 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:ID:52A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:40mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              本產品為650V N溝道碳化硅場效應管(MOSFET),具有40mΩ的導通電阻,在高溫和高頻率工作條件下仍能保持穩定的性能表現。該器件可支持最大連續漏極電流達52A,適用于高效開關電源、光伏逆變系統、儲能設備以及高頻功率轉換裝置等應用。碳化硅材料的引入顯著降低了開關損耗,提升了整體能效和系統可靠性,適合用于對空間利用率和熱管理有較高要求的技術場景。

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