PCDD08120G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:8A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.45V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管為獨立式結構，額定正向電流（IF）為8A，反向重復電壓（VR）可達1200V，適用于高電壓應用場景。其正向導通壓降（VF）為1.45V，在高溫與高頻率工作條件下仍保持穩定的電氣性能。利用碳化硅材料的優異特性，該器件具備快速開關能力、低反向恢復電荷及出色的熱穩定性，可有效減少系統損耗。常用于高效能源轉換裝置、不間斷電源、高壓直流變換器及可再生能源逆變系統，有助于提升整體能效并減小散熱設計負擔。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PCDD08120G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:8A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.45V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:8A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.45V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢