GC3M0120090D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:22A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:120mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為900V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用先進碳化硅材料工藝，具備優異的導熱性與高耐壓特性。在導通狀態下，其漏極電流ID可達22A，導通電阻RDON低至120mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。適用于高頻率、高效率電源轉換場景，如光伏逆變器、儲能系統及智能電網設備中，可有效提升功率密度與整體性能。器件結構設計優化，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于多種高性能電力電子應用領域。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:22A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:120mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:22A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:120mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢