NTPF110N65S3HF-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），連續漏極電流可達24A，導通電阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料特性，器件具備優異的高溫工作能力、耐壓性能及快速開關響應，適用于高頻率、高效率的功率變換拓撲。常見于高性能電源轉換裝置、可再生能源發電單元、數據中心電源系統及高壓直流變換設備中，適用于對能效和熱管理要求較高的應用場合。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTPF110N65S3HF-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢

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