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GC3M0060065K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:39A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為650V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有出色的導通性能與開關特性。器件最大漏極電流ID為39A，導通電阻RD(ON)低至60mΩ，有助于減少功率損耗，提升整體能效。碳化硅材料賦予器件優異的高溫穩定性和高頻響應能力，適用于高效電源轉換、智能電網設備及高密度電力電子系統，為高性能電力應用提供堅實的技術支持。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GC3M0060065K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:39A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:39A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢