NTH4L028N170M1_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:82A 參數2：VDSS:1700V 參數3：RDON:28mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為1700V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有高電流承載能力和優異的導通性能。其額定漏極電流（ID）為82A，導通電阻（RDON）低至28mΩ，有助于顯著降低功率損耗并提升整體效率。碳化硅材料賦予器件出色的耐壓與耐高溫特性，支持在高頻、高壓及復雜工況下可靠運行。適用于高效率電源變換系統、新能源發電設備及高性能電子裝置中的功率管理與能量傳輸應用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTH4L028N170M1_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:82A 參數2：VDSS:1700V 參數3：RDON:28mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:82A 參數2：VDSS:1700V 參數3：RDON:28mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢