P3D06010G2_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.51V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該碳化硅二極管為獨立式單管結構，額定正向平均電流（IF）為10A，反向重復峰值電壓（VR）可達650V，適用于中高壓功率應用。其正向導通壓降（VF）典型值為1.51V，在持續導通狀態下具備較低的功耗表現。基于碳化硅半導體材料，器件具有優異的高溫穩定性、極短的反向恢復時間及微小的反向恢復電荷，有效降低開關過程中的能量損耗?？蓮V泛用于高頻率開關電源、高效能DC-DC轉換模塊、光伏逆變單元及高性能電源適配器等場合，支持高功率密度與高能效系統設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

P3D06010G2_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.51V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.51V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢