IPA65R110CFD-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

本款N溝道碳化硅場效應管具備650V漏源電壓（VDSS）和24A連續漏極電流（ID），導通電阻低至110mΩ，可有效減少導通損耗，提升系統能效。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定柵極控制，增強開關可靠性。基于碳化硅材料特性，器件具有優異的高溫工作性能、耐高壓能力和快速開關響應，適用于高頻率、高功率密度的電路設計。廣泛用于高效電源轉換系統、可再生能源逆變裝置、高壓直流變換模塊及高性能電力電子設備中，滿足對熱管理與能效表現要求較高的應用場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPA65R110CFD-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢