AIDK08S65C5-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：IF:8A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.42V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管采用獨(dú)立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），正向壓降（VF）低至1.42V，表現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)通性能與能效。基于碳化硅材料的特性，該器件具有快速開關(guān)能力與較低的反向恢復(fù)電荷，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其材料特性支持在較高結(jié)溫下穩(wěn)定運(yùn)行，適合用于緊湊型電源設(shè)計(jì)、高效能適配器、可再生能源逆變系統(tǒng)及高性能直流電源模塊中，有助于減小系統(tǒng)體積并提升整體效率。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

AIDK08S65C5-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:8A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.42V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數(shù)1：IF:8A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.42V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢