VBP112MC100-4L_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用先進碳化硅材料工藝，具備優異的導熱性與耐高溫特性。其漏極電流ID可達81A，導通電阻RDON低至21mΩ，能夠有效降低導通損耗，提高系統效率。適用于高頻率、高效率電源轉換場景，如光伏逆變器、儲能系統及智能電網設備中，可顯著提升電路的穩定性和可靠性，同時支持更緊湊的散熱設計。器件結構優化，具備良好的短路耐受能力和抗過載性能，適合復雜工況下的長期穩定運行。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

VBP112MC100-4L_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢