IV1Q06060T4G_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:39A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為650V中高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有良好的導通性能與開關特性。最大連續漏極電流ID為39A，漏源導通電阻RDON為60mΩ，能夠在較高頻率下實現穩定的電能轉換。碳化硅材料賦予器件優異的耐高溫能力和較低的開關損耗，有助于提升系統整體效率。適用于高效電源變換系統、可再生能源接入設備及智能配電模塊等應用場景，為現代電力電子設備提供高性能、高可靠性的核心器件支持。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IV1Q06060T4G_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:39A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:39A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢