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              B1D08065E_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252N-2L 類別:碳化硅二極管 最小包裝:2500/圓盤 參數1:IF:8A 參數2:VR:650V 參數3:VF:1.4V 參數4:二極管配置:獨立式 標價:歡迎咨詢

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              該碳化硅二極管采用獨立式配置,具備8A的正向電流(IF)和650V的反向重復峰值電壓(VR),正向壓降低至1.4V。低導通損耗與快速開關特性使其在高頻率電源轉換應用中表現出色,可有效提升系統整體能效。器件利用碳化硅材料的高耐溫與高熱導特性,適用于緊湊型高功率密度設計,廣泛用于高效開關電源、光伏逆變模塊及高壓直流轉換電路中,有助于減小系統體積并提升長期運行穩定性。

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