CI30N120M4_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備良好的導(dǎo)通特性和高效的開(kāi)關(guān)表現(xiàn)。其最大漏極電流（ID）為32A，導(dǎo)通電阻（RDON）為75mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)能效。碳化硅材料賦予器件優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和耐壓能力，適合在高壓、高頻及高功率密度環(huán)境下運(yùn)行。廣泛應(yīng)用于高效能電源轉(zhuǎn)換裝置、新能源設(shè)備及精密電子系統(tǒng)中的功率控制與能量調(diào)節(jié)環(huán)節(jié)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

CI30N120M4_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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