S3D30065G_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:30A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.41V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管為獨立式配置，具備30A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），適用于中高功率電力轉換場合。其正向導通壓降（VF）為1.41V，在同類器件中表現優異，有助于減少導通損耗，提升能效。采用碳化硅材料，具備出色的開關特性與高溫工作能力，反向恢復時間短，可支持高頻應用。器件適用于大功率電源系統、儲能設備中的能量轉換模塊以及高性能逆變裝置，其結構設計有利于熱管理與系統集成，適合對效率和可靠性有較高要求的電力電子設備。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

S3D30065G_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:30A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.41V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:30A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.41V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢