P3D06008T2_TO-220C-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：50/管裝參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.38V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管為單體結構，額定正向電流（IF）為8A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，正向導通壓降（VF）為1.38V。采用碳化硅半導體材料，具備出色的熱穩定性和高頻開關能力，反向恢復時間極短，可顯著降低開關過程中的能量損耗。適用于高效率電源轉換拓撲，如連續導通模式的功率因數校正電路、高密度開關電源及直流-直流變換裝置。其低損耗特性有助于提升系統能效，減少散熱設計復雜度，適合對功率密度和長期運行穩定性有較高要求的電力電子應用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

P3D06008T2_TO-220C-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.38V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：50/管裝參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.38V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢