LSIC2SD065D10A-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.51V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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該碳化硅二極管為獨立式配置，具備10A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降為1.51V。基于碳化硅材料，該器件具有快速開關特性、低反向恢復電荷和良好的熱穩定性，適用于高頻、高效率的電力電子電路。其性能優勢可支持緊湊型電源設計，廣泛用于服務器電源、可再生能源逆變裝置、不間斷電源系統及高功率密度DC-DC轉換器中，有助于提升系統能效并減少散熱需求。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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聯系電話：18929373249
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LSIC2SD065D10A-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.51V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.51V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢