HT36N1200ADZ_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用寬禁帶半導體技術，具備高耐壓與低導通損耗特性。其漏極電流（ID）為36A，漏源電壓（VDSS）高達1200V，導通電阻（RDON）為80mΩ，適用于高功率密度和高效能電源系統。該器件具有優異的開關性能與熱穩定性，支持高頻、高壓工作環境，可廣泛應用于新能源發電、智能電力調控、精密電源管理及高可靠性電子設備中，滿足復雜應用場景下的性能與穩定性需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HT36N1200ADZ_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢