BTA12-800BWRG_TO-220A_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220A 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：50/管裝參數1：通態電流(It):12A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):800V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):50mA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該雙向可控硅模塊具有12A的通態電流（It）和800V的斷態峰值電壓（Vdrm），適用于中高功率交流電力控制場景。器件內部集成單個雙向可控硅，支持雙向電流導通，可實現對交流負載的精確相位控制。50mA的門極觸發電流（Igt）確保在典型驅動條件下穩定觸發。該模塊常用于大功率調光系統、電熱控制裝置、交流電機調速電路及固態開關設計，適合對電壓耐受能力和長期運行穩定性有較高要求的電力電子設備應用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BTA12-800BWRG_TO-220A_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220A 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：50/管裝 參數1：通態電流(It):12A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):800V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅 參數4：門極觸發電流(Igt):50mA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220A 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：50/管裝參數1：通態電流(It):12A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):800V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):50mA 標價：歡迎咨詢