IPAN60R360PFD7S-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源電壓（VDSS）和15A連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定的驅動控制。依托碳化硅材料的高耐壓、低開關損耗特性，該器件適用于高頻高壓工作環境，典型應用包括高效開關電源、大功率DC-DC變換器、不間斷電源、儲能系統中的功率轉換模塊以及高性能逆變設備，能夠滿足對能效、熱管理和空間利用率有較高要求的電源設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢