H1D04065BF-HXY_SMBF_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMBF 類別：碳化硅二極管最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：IF:4A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.3V 參數(shù)4：IR:10uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管具有4A的正向電流（IF）和650V的反向耐壓（VR），適用于中高功率電力轉(zhuǎn)換電路。其正向?qū)▔航担╒F）為1.3V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。在反向關(guān)斷狀態(tài)下，漏電流（IR）典型值為10μA，具備良好的阻斷性能。得益于碳化硅材料的特性，器件具有快速開關(guān)速度和優(yōu)異的高溫工作能力，適合用于高頻率開關(guān)電源、高效DC-DC變換器、服務(wù)器電源模塊及對功率密度要求較高的電力電子裝置，有助于減小磁性元件體積并優(yōu)化熱管理設(shè)計。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

H1D04065BF-HXY_SMBF_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMBF 類別：碳化硅二極管 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：IF:4A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.3V 參數(shù)4：IR:10uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMBF 類別：碳化硅二極管最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：IF:4A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.3V 參數(shù)4：IR:10uA 標(biāo)價：歡迎咨詢