HXY50N06BD_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:50A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:15mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有60V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）的耐壓能力，適用于中高電壓功率切換應用。其連續漏極電流可達50A，導通電阻為15mΩ，在高負載條件下仍能保持較低的導通損耗。器件具備良好的開關特性和熱性能，適合用于開關電源、直流-直流轉換器、電池管理系統中的功率控制，以及高效率電機驅動電路，可滿足對功率密度和能效有較高要求的電子系統設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY50N06BD_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:15mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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