HXY40P03DF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該P溝道場效應管具備35A的漏極電流（ID）和-30V的漏源電壓（VDSS），適用于中等功率的直流開關與控制電路。其導通電阻（RDON）為13mΩ，在20V柵源電壓（VGS）驅動下可實現較低的導通損耗，有助于提高電源轉換效率。P溝道結構使其在高邊開關和電池供電系統中具備應用優勢，常用于電源反接保護、多路電源切換及負載開關設計，適合集成于便攜式電子設備、通信模塊及嵌入式主板的功率管理單元中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXY40P03DF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢