HXY17N10P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:17A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:80mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有100V漏源擊穿電壓（VDSS）和17A連續漏極電流（ID），導通電阻為80mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為±20V，具備良好的柵極驅動兼容性。器件在中等電壓功率轉換中表現出較高的開關效率與熱穩定性，適用于直流電源模塊、高效率同步整流電路及電池供電系統中的功率控制單元。其封裝設計有利于散熱管理，適合對空間與能效有要求的緊湊型電子設備應用，支持高頻開關工作模式。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY17N10P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:17A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:80mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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