HXY20N06ADF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:20A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:24mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有60V漏源電壓（VDSS）、20A連續漏極電流（ID）和低至24mΩ的導通電阻（RDS(on)），支持最高20V柵源電壓（VGS）。器件采用先進溝槽技術，具備優異的導通性能與開關響應，可有效降低功率損耗。適用于中低壓直流電源轉換、高效率同步整流、便攜式設備電源管理模塊以及大電流開關電路。其低柵極電荷與良好熱穩定性有助于提升系統能效，適合在緊湊型高密度電子設備中實現可靠的功率控制與能量傳輸。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXY20N06ADF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:24mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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