HXY9N20D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:9A 參數2：VDSS:200V 參數3：RDON:290mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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這是一款N溝道場效應管，漏源電壓（VDSS）可達200V，柵源電壓（VGS）最高支持30V，最大連續漏極電流為9A，適用于中高壓功率開關應用。其導通電阻為290mΩ，在高電壓工作條件下具備良好的導通性能，有助于降低功率損耗。該器件適合用于開關電源、直流變換電路、高邊負載驅動及高電壓控制回路等場景。憑借較高的電壓耐受能力和穩定的工作特性，可滿足多種電子設備中對高壓開關元件的需求，尤其適用于需要可靠通斷控制的嵌入式電源系統。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY9N20D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:200V 參數3：RDON:290mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:9A 參數2：VDSS:200V 參數3：RDON:290mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢