HXY8810AES_TSSOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:7.5A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:11.5mR 參數4：VGS:10V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有20V漏源電壓（VDSS）和10V柵源電壓（VGS），連續漏極電流達7.5A，導通電阻低至11.5mΩ，可有效降低功率損耗，提高系統效率。采用N溝道設計，具備優異的開關特性和熱穩定性，適用于高效率DC-DC轉換電路、同步整流拓撲及便攜式設備的電源管理模塊。其低RDON和較高電流能力適合用于緊湊型電源系統中的主開關或整流元件，廣泛應用于消費類電子產品、通信設備及電池供電裝置中的電壓變換與功率控制場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXY8810AES_TSSOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:7.5A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:11.5mR 參數4：VGS:10V 標價：歡迎咨詢

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