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              MJD127_TO-252-2L_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-252-2L 類(lèi)別:三極管(BJT) 最小包裝:2500/圓盤(pán) 參數(shù)1:IC:8A 參數(shù)2:VCEO:100V 參數(shù)3:TYPE:PNP 參數(shù)4:HFE:1K-12K 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)

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              該P(yáng)NP型三極管額定集電極電流(IC)為8A,集射極擊穿電壓(VCEO)達(dá)100V,具備較強(qiáng)的電流承載能力。直流電流增益(HFE)范圍為1000至12000,屬于高增益類(lèi)型,可在微弱基極電流下實(shí)現(xiàn)高效電流控制,適用于精密開(kāi)關(guān)與信號(hào)放大電路。器件采用大電流設(shè)計(jì),熱穩(wěn)定性較好,適合在電源調(diào)節(jié)模塊、繼電器驅(qū)動(dòng)、電機(jī)控制及高增益放大電路中使用。其高HFE特性有助于簡(jiǎn)化前級(jí)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),提升系統(tǒng)響應(yīng)精度,滿(mǎn)足多種中功率模擬與數(shù)字應(yīng)用需求。

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              • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
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