HXY70P03DF_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

這是一款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具有30V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適用于中等電壓電源開關(guān)場景。其連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)70A，導(dǎo)通電阻（RDON）低至6.5mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。低RDON特性使其在大電流應(yīng)用中發(fā)熱量更少，工作更穩(wěn)定。該器件適用于高效率DC-DC轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)電路以及電池供電設(shè)備中的電源管理模塊，適合對導(dǎo)通損耗敏感的功率控制設(shè)計。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY70P03DF_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢