HXY60N03NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有30V的漏源電壓（VDSS）和60A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(ON)）低至5.2mΩ，在柵源電壓（VGS）為10V至20V范圍內可實現高效開關。器件適用于高電流開關應用，可用于直流-直流轉換電路、大功率電源管理模塊及電池驅動系統的主控開關。低導通電阻有效減少功率損耗與發熱，提升整體能效，適合對電流承載能力與效率要求較高的高性能電子設備。封裝設計有利于散熱與布局優化。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY60N03NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢