HXY4953CS_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:4A 參數(shù)2：VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:85mR 參數(shù)4：VGS:12V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該P(yáng)P溝道場效應(yīng)管由兩個相同的20V耐壓MOSFET組成，單管連續(xù)漏極電流可達(dá)4A，導(dǎo)通電阻低至85mΩ，在12V柵源電壓下具有優(yōu)異的開關(guān)與導(dǎo)通性能。器件采用對稱設(shè)計，適用于雙路同步開關(guān)或橋式電路拓?fù)洌蓪?shí)現(xiàn)高效直流電平轉(zhuǎn)換、負(fù)載切換及電池供電設(shè)備中的電源管理功能。低閾值電壓與寬泛的工作溫度范圍使其適配多種嵌入式及便攜式系統(tǒng)需求，可用于構(gòu)建緊湊型功率控制模塊。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY4953CS_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:4A 參數(shù)2：VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:85mR 參數(shù)4：VGS:12V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:4A 參數(shù)2：VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:85mR 參數(shù)4：VGS:12V 標(biāo)價：歡迎咨詢